Thư Viện Công Thức Vật Lý

- Khái niệm:

Áp suất được tính bằng áp lực trên một đơn vị diện tích bị nén.

- Công thức:

$\mathbf{p}\mathbf{ }\mathbf{=}\mathbf{ }\frac{\mathbf{F}}{\mathbf{S}}$

Trong đó:

F: áp lực (N).

S: diện tích tiếp xúc (${\mathrm{m}}^2$).

p: áp suất (N/${\mathrm{m}}^2$).

Trong đó:

R: điện trở của dây dẫn $\left(\Omega \right)$.

$\rho$: điện trở suất của dây dẫn $(\Omega .m)$.

l: chiều dài của dây dẫn (m).

S: tiết diện của dây dẫn ($m^2$).

Lò xo có độ dài tự nhiên $l_{0 }\left(k_0\right)$ được cắt thành n đoạn.

Trong đó:

+E: suất Young ($N/m^2$)

+S: tiết diện ngang ($m^2$)

Trong đó: 

A:  công của khối khí (J).

p: áp suất của khối khí $(N/m^2)$.

S: diện tích chịu áp suất $\left(m^2\right)$.

$∆s$: phần không gian bị thay đổi (m).

$∆V$: thể tích của phần không gian bị thay đổi ($m^3$).

Ban đầu : Thủy ngân nằm giữa.

Bình 1 : $p_1,V_1,T_1$   ;   Bình 2 : $p_2=p_1,V_2,T_2$

Lúc sau : Khi thay đổi các yếu tố cảu trạng thái khí bình 1 đến khi cân bằng $p_1\text{'}=p_2\text{'}$.

Áp dụng PTTKLT cho bình 1: $\frac{p_1{V}_1}{T_1}=\frac{p_1\text{'}.\left(V_1+∆V\right)}{T_1\text{'}}$

Áp dụng PTTKLT cho bình 2: $\frac{p_2{V}_2}{T_2}=\frac{p{\text{'}}_2\left(V_1-∆V\right)}{T_2\text{'}}$

Suy ra : 

$$\begin{gathered} \frac{T_2}{T_1}=\frac{V_1+∆V}{V_1-∆V}.\frac{T_2\text{'}}{T_1\text{'}} \\ ∆x=\frac{∆V}{S} \end{gathered}$$

Với 

k (N/m) : Độ cứng của thanh.

E (Pa) : Ứng suất Young.

S ($m^2$) : Tiết diện ngang của thanh.

$l_0 \left(m\right)$ : Chiều dài của thanh

$f_{đỏ}>f_{tím}$ tương tự

$f_{đỏ}>f>f_{tím}$

Với $D=\frac{1}{f}$ là độ tụ của thấu kính

$D_{đỏ}<D<D_{tím}$

Vậy tiêu cự của thấu kính tỉ lệ nghịch với chiết suất ánh sáng qua kính

Chú thích: 

$R$: điện trở $\left(\Omega \right)$

$\rho$: điện trở suất $(\Omega .m)$

$l$: chiều dài dây dẫn $\left(m\right)$

$S$: tiết diện dây dẫn $\left(m^2\right)$

Khái niệm: Là hiện tượng giảm điện trở suất (giảm điện trở do điện trở tỉ lệ thuận với điện trở suất). Tức là tăng độ dẫn điện của bán dẫn khi có ánh sáng thích hợp chiếu vào.

Giải thích: Khi bán dẫn được chiếu sáng bằng chùm sáng có bước sóng thích hợp thì trong bán dẫn có thêm electron dẫn và lỗ trống được tạo thành. Do đó, mật độ hạt tải điện tăng, tức là điện trở suất của nó giảm. Cường độ ánh sáng chiếu vào bán dẫn càng mạnh thì điện trở suất của nó càng nhỏ.

Ứng dụng: Khi một linh kiện vật liệu quang dẫn được kết nối như một phần của mạch, hoạt động như một "điện trở quang", phụ thuộc vào cường độ ánh sáng hoặc chất quang dẫn.

Chú thích:

$n$: chiết suất của chất làm thấu kính

$n\text{'}$: chiết suất của môi trường đặt thấu kính

$R_{1, }{R}_2$: bán kính hai mặt của thấu kính

Quy ước:

$R>0$: mặt lõm

$R<0$: mặt lồi

$R=\infty$: mặt phẳng

Khái niệm: Thấu kính là một khối chất trong suốt (thủy tinh, nhựa,...) giới hạn bởi hai mặt cong hoặc bởi một mặt cong và một mặt phẳng.

- Thấu kính lồi (thấu kính rìa mỏng) là thấu kính hội tụ.

- Thấu kính lõm (thấu kính rìa dày) là thấu kính phân kì.

Để thiết lập các công thức về thấu kính, người ta đặt ra hai đại lượng quang học là tiêu cự và độ tụ.

Chú thích:

$f$: tiêu cự của thấu kính $\left(m\right)$

$D$: độ tụ của thấu kính $\left(dp\right)$

Quy ước: 

$f,D>0$: thấu kính hội tụ.

$f,D<0$: thấu kính phân kì.

Các trường hợp ảnh tạo bởi thấu kính:

- Thấu kính hội tụ:

+ $d<f$: ảnh ảo, cùng chiều vật, lớn hơn vật

+ $d=f$: ảnh ở vô cùng

+ $2f>d>f$: ảnh thật, ngược chiều vật, lớn hơn vật

+ $d=2f$: ảnh thật, ngược chiều vật, bằng vật

+ $d>2f$: ảnh thật, ngược chiều vật, nhỏ hơn vật

- Thấu kính phân kì: Luôn cho ảnh ảo, cùng chiều vật, nhỏ hơn vật.