Thư Viện Công Thức Vật Lý

- Khái niệm:

Áp suất được tính bằng áp lực trên một đơn vị diện tích bị nén.

- Công thức:

$\mathbf{p}\mathbf{ }\mathbf{=}\mathbf{ }\frac{\mathbf{F}}{\mathbf{S}}$

Trong đó:

F: áp lực (N).

S: diện tích tiếp xúc (${\mathrm{m}}^2$).

p: áp suất (N/${\mathrm{m}}^2$).

Trong đó:

R: điện trở của dây dẫn $\left(\Omega \right)$.

$\rho$: điện trở suất của dây dẫn $(\Omega .m)$.

l: chiều dài của dây dẫn (m).

S: tiết diện của dây dẫn ($m^2$).

Lò xo có độ dài tự nhiên $l_{0 }\left(k_0\right)$ được cắt thành n đoạn.

Trong đó:

+E: suất Young ($N/m^2$)

+S: tiết diện ngang ($m^2$)

Trong đó: 

A:  công của khối khí (J).

p: áp suất của khối khí $(N/m^2)$.

S: diện tích chịu áp suất $\left(m^2\right)$.

$∆s$: phần không gian bị thay đổi (m).

$∆V$: thể tích của phần không gian bị thay đổi ($m^3$).

Ban đầu : Thủy ngân nằm giữa.

Bình 1 : $p_1,V_1,T_1$   ;   Bình 2 : $p_2=p_1,V_2,T_2$

Lúc sau : Khi thay đổi các yếu tố cảu trạng thái khí bình 1 đến khi cân bằng $p_1\text{'}=p_2\text{'}$.

Áp dụng PTTKLT cho bình 1: $\frac{p_1{V}_1}{T_1}=\frac{p_1\text{'}.\left(V_1+∆V\right)}{T_1\text{'}}$

Áp dụng PTTKLT cho bình 2: $\frac{p_2{V}_2}{T_2}=\frac{p{\text{'}}_2\left(V_1-∆V\right)}{T_2\text{'}}$

Suy ra : 

$$\begin{gathered} \frac{T_2}{T_1}=\frac{V_1+∆V}{V_1-∆V}.\frac{T_2\text{'}}{T_1\text{'}} \\ ∆x=\frac{∆V}{S} \end{gathered}$$

Với 

k (N/m) : Độ cứng của thanh.

E (Pa) : Ứng suất Young.

S ($m^2$) : Tiết diện ngang của thanh.

$l_0 \left(m\right)$ : Chiều dài của thanh

$A$ số khối của hạt nhân

$Z$ số proton

$1 u=1,66.{10}^{-27} \left(kg\right)$

Khối lượng của hạt nhân gần bằng tổng khối lượng các hạt proton và neutron trong hạt nhân.

Phát biểu: Năng lượng liên kết của một hạt nhân được tính bằng tích của độ hụt khối của hạt nhân với thừa số $c^2$.

Năng lượng liên kết là năng lượng tỏa ra khi kết hợp các nucleon thành hạt nhân, còn gọi là năng lượng tối thiểu để phá vỡ hạt nhân.

Chú thích: 

$W_{lk}$: năng lượng liên kết của hạt nhân $\left(MeV\right)$

$∆m$: độ hụt khối của hạt nhân $\left(u\right)$, $1u{c}^2=931,5 MeV$

$c^2:$hệ số tỉ lệ, với $c$ là tốc độ ánh sáng trong chân không.

Phát biểu: Khối lượng của một hạt nhân luôn nhỏ hơn tổng khối lượng của các nucleon tạo thành hạt nhân đó. Độ chênh giữa hai khối lượng đó được gọi là độ hụt khối của hạt nhân.

Chú thích:

$∆m$: độ hụt khối của hạt nhân $\left(u\right)$

$Z$: số proton

$A-Z$: số neutron

$m_p, m_n$: khối lượng của proton và neutron $\left(u\right)$

$m_X$: khối lượng của hạt nhân $\left(u\right)$

Trong đó:

$m_n\approx 1,0087u$

$m_p\approx 1,0072u$

$m_n>m_p>1 u>m_e$

Chú thích: 

$R$: điện trở $\left(\Omega \right)$

$\rho$: điện trở suất $(\Omega .m)$

$l$: chiều dài dây dẫn $\left(m\right)$

$S$: tiết diện dây dẫn $\left(m^2\right)$

Khái niệm: Là hiện tượng giảm điện trở suất (giảm điện trở do điện trở tỉ lệ thuận với điện trở suất). Tức là tăng độ dẫn điện của bán dẫn khi có ánh sáng thích hợp chiếu vào.

Giải thích: Khi bán dẫn được chiếu sáng bằng chùm sáng có bước sóng thích hợp thì trong bán dẫn có thêm electron dẫn và lỗ trống được tạo thành. Do đó, mật độ hạt tải điện tăng, tức là điện trở suất của nó giảm. Cường độ ánh sáng chiếu vào bán dẫn càng mạnh thì điện trở suất của nó càng nhỏ.

Ứng dụng: Khi một linh kiện vật liệu quang dẫn được kết nối như một phần của mạch, hoạt động như một "điện trở quang", phụ thuộc vào cường độ ánh sáng hoặc chất quang dẫn.